• BPnet
  • ビジネス
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイス > IR、オン抵抗を低減した300V耐圧のパワーMOSFETを製品化、インバータ向け

IR、オン抵抗を低減した300V耐圧のパワーMOSFETを製品化、インバータ向け

  • 山下 勝己=テクニカル・ライター
  • 2013/01/19 00:02
  • 1/1ページ
 米International Rectifier(IR)社は、同社従来品に比べてオン抵抗を低減した+300V耐圧のパワーMOSFETを発売した。パッケージや最大ドレイン電流の違いで3製品を用意した。いずれもnチャネル品である。一つは、最大ドレイン電流が40AでTO220AB封止の「IRFB4137PBF」。二つめは、最大ドレイン電流が40AでTO-247AC封止の「IRFP4137PBF」。三つめは、最大ドレイン電流が70AでTO-247AC封止の「IRFP4868PBF」である。いずれも、交流(AC)110~120Vを入力とするインバータ回路に向ける。具体的な用途としては、太陽光発電システムのインバータ装置や無停電電源装置(UPS)などを挙げている。
【技術者塾】
「1日でマスター、実践的アナログ回路設計」(2016年8月30日(木))


コツを理解すれば、アナログ回路設計は決して難しくはありません。本講義ではオペアンプ回路設計の基本からはじめて、受動部品とアナログスイッチや基準電圧などの周辺回路部品について学びます。アナログ回路設計(使いこなし技術)のコツや勘所を実践的に、かつ分かりやすく解説いたします。。詳細は、こちら
日時:2016年8月30日(火)10:00~17:00
会場:エッサム神田ホール(東京・神田)
主催:日経エレクトロニクス

おすすめ ↓スクロールすると、関連記事が読めます↓