• BPnet
  • ビジネス
  • PC
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版
半導体デバイス 半導体デバイスの最新情報・トレンドを知る
 

IR、オン抵抗を低減した300V耐圧のパワーMOSFETを製品化、インバータ向け

山下 勝己=テクニカル・ライター
2013/01/19 00:02
1/1ページ
 米International Rectifier(IR)社は、同社従来品に比べてオン抵抗を低減した+300V耐圧のパワーMOSFETを発売した。パッケージや最大ドレイン電流の違いで3製品を用意した。いずれもnチャネル品である。一つは、最大ドレイン電流が40AでTO220AB封止の「IRFB4137PBF」。二つめは、最大ドレイン電流が40AでTO-247AC封止の「IRFP4137PBF」。三つめは、最大ドレイン電流が70AでTO-247AC封止の「IRFP4868PBF」である。いずれも、交流(AC)110~120Vを入力とするインバータ回路に向ける。具体的な用途としては、太陽光発電システムのインバータ装置や無停電電源装置(UPS)などを挙げている。

ここから先は日経テクノロジーオンライン会員の方のみ、お読みいただけます。
・会員登録済みの方は、左下の「ログイン」ボタンをクリックしてログイン完了後にご参照ください。
・会員登録がお済みでない方は、右下の会員登録ボタンをクリックして、会員登録を完了させてからご参照ください。会員登録は無料です。

【技術者塾】(2/23開催)
シグナル/パワーインテグリティーとEMC

〜高周波・低電圧設計に向けたノイズの課題と対策〜


本講座では、設計事例を基に、ノイズ対策がなぜ必要なのかを分かりやすく解説します。その上で、シグナルインテグリティー(SI)、パワーインテグリティー(PI)、EMCの基礎知識ならびにそれらがノイズ課題の解決にどのように関係しているかを、これまでの知見や経験に基づいた具体例を踏まえつつ解説を行います。 詳細は、こちら
日程 : 2016年2月23日
会場 : 化学会館
主催 : 日経エレクトロニクス
印刷用ページ

マイページ

マイページのご利用には日経テクノロジーオンラインの会員登録が必要です。

マイページでは記事のクリッピング(ブックマーク)、登録したキーワードを含む新着記事の表示(Myキーワード)、登録した連載の新着記事表示(連載ウォッチ)が利用できます。

協力メディア&
関連サイト

  • 日経エレクトロニクス
  • 日経ものづくり
  • 日経Automotive
  • 日経デジタルヘルス
  • メガソーラービジネス
  • 明日をつむぐテクノロジー
  • 新・公民連携最前線
  • 技術者塾
  • スポーツイノベイターズオンライン

Follow Us

  • Facebook
  • Twitter
  • RSS

お薦めトピック

日経テクノロジーオンラインSpecial

記事ランキング