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IR、オン抵抗を低減した300V耐圧のパワーMOSFETを製品化、インバータ向け

  • 山下 勝己=テクニカル・ライター
  • 2013/01/19 00:02
  • 1/1ページ
 米International Rectifier(IR)社は、同社従来品に比べてオン抵抗を低減した+300V耐圧のパワーMOSFETを発売した。パッケージや最大ドレイン電流の違いで3製品を用意した。いずれもnチャネル品である。一つは、最大ドレイン電流が40AでTO220AB封止の「IRFB4137PBF」。二つめは、最大ドレイン電流が40AでTO-247AC封止の「IRFP4137PBF」。三つめは、最大ドレイン電流が70AでTO-247AC封止の「IRFP4868PBF」である。いずれも、交流(AC)110~120Vを入力とするインバータ回路に向ける。具体的な用途としては、太陽光発電システムのインバータ装置や無停電電源装置(UPS)などを挙げている。
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