アナログ エレクトロニクスを支える基盤技術
 

Vishay、オン抵抗が185mΩと小さい1.6mm角の100V耐圧パワーMOSFETを発売

山下 勝己=テクニカル・ライター
2013/01/08 21:26
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 Vishay、実装面積が1.6mm×1.6mmと小さいPowerPAK SC-75に封止した100V耐圧のパワーMOSFET「SiB456DK」を発売した。nチャネル品である。オン抵抗は、ゲート・ソース間電圧が10Vのときに185mΩ(最大値)、ゲート・ソース間電圧が4.5Vのときに310mΩ(最大値)といずれも小さい。低出力のインバータ(DC-ACコンバータ)や、通信機器向けDC-DCコンバータ、POL(point of load)コンバータ、携帯型機器のLEDドライバ回路などに向ける。

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