半導体や材料、バイオ・テクノロジーなどの分野で、先駆的な業績を残した日本人研究者に与えられる「山崎貞一賞」。平成24年度(第12回)の「半導体及び半導体装置分野」で同賞を受賞したのは、東京大学大学院 工学系研究科 教授の高木信一氏である。受賞対象になったのは「Si MOSFETのチャネル内キャリア輸送特性の解明と高移動度化への先駆的貢献」だ。これまでの研究の歩みについて高木氏に聞いた。

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