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ロームが新型SiCパワー・モジュールを開発、ボディ・ダイオード搭載のSiC製MOSFETを採用

  • 根津 禎=日経エレクトロニクス
  • 2012/12/13 18:26
  • 1/1ページ
 ロームは、ボディ・ダイオード搭載のSiC製MOSFETを用いたパワー・モジュールを開発した。同MOSFETは、外付けのダイオードが不要になる利点がある。同モジュールは既にサンプル出荷中で、2012年12月から量産する。定格電圧は1200Vで、定格電流は180Aである。
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