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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【IEDM】リーク電流の90%低減と耐圧1.5倍を実現したSiC製MOSFETをロームらが試作

【IEDM】リーク電流の90%低減と耐圧1.5倍を実現したSiC製MOSFETをロームらが試作

  • 根津 禎=日経エレクトロニクス
  • 2012/12/13 12:45
  • 1/1ページ
 ロームは、大阪大学大学院 工学研究科 助教の細井卓治氏や京都大学大学院 工学研究科教授の木本恒暢氏、東京エレクトロンと共同で新しいSiC製MOSFETを試作した(発表資料)。特徴は、ゲート絶縁膜を透過するリーク電流を90%低減し、絶縁破壊耐圧を1.5倍に向上させたことである。

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