アナログ エレクトロニクスを支える基盤技術
 

東芝、オン抵抗を低減した30V耐圧のパワーMOSFETを発売、Liイオン電池の保護回路など向け

山下 勝己=テクニカル・ライター
2012/12/07 23:15
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 東芝は、オン抵抗を低減した30V耐圧のnチャネル・パワーMOSFET「TPN2R503NC」を発売した。同社最新のパワーMOSFET製造技術である「第8世代プロセス」を採用した。オン抵抗は、ゲート・ソース間電圧が10Vのときに2.5mΩ(最大値)、ゲート・ソース間電圧が4.5Vのときに4.1mΩ(最大値)といずれも小さい。Liイオン2次電池パックに内蔵する保護回路や、携帯型電子機器の負荷スイッチなどに向ける。

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