アナログ エレクトロニクスを支える基盤技術
 

Vishay、3.3mm角でオン抵抗が4.8mΩと小さい-20V耐圧のpチャネルMOSFETを発売

山下 勝己=テクニカル・ライター
2012/11/26 21:53
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 米Vishay Intertechnology社は、オン抵抗が4.8mΩ(ゲート・ソース間電圧が−4.5V時の最大値)と小さい-20V耐圧のpチャネル・パワーMOSFET「Si7655DN」を発売した。パッケージは、外形寸法が3.3mm×3.3mm×0.75mmの「PowerPAK 1212-8S」である。同社によると「実装面積と実装高さが同程度の競合他社品に比べると、オン抵抗を28%程度削減した」という。スマートフォンやタブレット端末、ノート・パソコンなどのバッテリ・スイッチや負荷スイッチに向ける。

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