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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > IBMがCNTトランジスタを高密度集積、「Siの後継に一歩近づく」

IBMがCNTトランジスタを高密度集積、「Siの後継に一歩近づく」

  • 野澤 哲生=日経エレクトロニクス
  • 2012/11/01 15:51
  • 1/1ページ
 米IBM社は、単層カーボン・ナノチューブ(CNT)などから成るトランジスタ(CNTトランジスタ)を高い精度で配向、配置し、高密度に集積する製造プロセスを開発したと発表した。

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