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【CEATEC 2012】村田がLTE対応のフルモジュールを試作、実装面積を4割削減

蓬田 宏樹=日経エレクトロニクス
2012/10/03 16:04
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試作したRFフルモジュール
試作したRFフルモジュール
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パネルに内容を示した
パネルに内容を示した
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会場ブースで、測定器を用いた波形の観測例を示した
会場ブースで、測定器を用いた波形の観測例を示した
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 村田製作所は、LTE対応のスマートフォンに向けた、小型のRF送受信モジュールを開発、「CEATEC JAPAN 2012」(2012年10月2~6日、幕張メッセで開催)において参考出展した。同社の部品内蔵技術を使い、セラミックではなく樹脂基板を使ってモジュールを実現した。LTEの送受信に必要なRFトランシーバICやパワー・アンプ、フロント・エンド・モジュールなどを集積しており、RF回路部分としては「フルモジュール」という位置づけである。製品化時期は未定だが、「技術的に十分可能であることを示す目的で試作した」(村田製作所)という。

 開発したRFモジュールは、RFトランシーバICには富士通セミコンダクターのLTE対応品「MB86L10E」を用いた。LTEおよびW-CDMAで利用するバンド1/5/21と、GSMで利用する850M/900M/1800M/1900MHzに対応するべく、それぞれのバンドに対応したパワー・アンプ・モジュールを組み込んでいる。こうした各種部品を組み込みながら、外形寸法は14.5mm×10.3mm×3.0mmに収めた。部品内蔵技術を用いない場合の実装面積に比較して、40%程度削減できているという。厚みはまだ3mmと大きいが、「ほかの実装技術と組み合わせれば、さらに薄型化することも可能である」(村田製作所)としている。

 村田製作所の会場ブースで、実際の動作を実演し、波形などを示した。例えばLTEモードの場合、送信出力が23dBmのときに、ACLRが平均-37dBという。

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