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HOMEエレクトロニクス電子設計 > GLOBALFOUNDRIES、完全空乏型SOIを用いた28nmプロセスを2013年7~9月に提供開始

GLOBALFOUNDRIES、完全空乏型SOIを用いた28nmプロセスを2013年7~9月に提供開始

  • 大下 淳一=日経エレクトロニクス
  • 2012/10/01 21:40
  • 1/1ページ
 米GLOBALFOUNDRIES社は2012年9月28日に東京都内で開催した報道機関向け電話インタビューにおいて、完全空乏型SOI(fully-depleted SOI:FDSOI)を用いたプロセス技術の提供計画を明らかにした。まずは同技術を用いる最初の世代となる「28nmプロセスの提供を2013年7~9月から開始し、2014年には20nmプロセスの試作(prototiping)を始める」(同社Executive Vice President, Global Sales and MarketingのMichael Noonen氏)。同社は32nm世代までは部分空乏型SOI(partially-depleted SOI:PDSOI)技術を用いてきたが、20nm以降ではさらなる高速・低電力化を狙って完全空乏型SOIを採用する。

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