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東北大学がグラフェンFETでオンオフ比104、論理回路へ適用の可能性

  • 野澤 哲生=日経エレクトロニクス
  • 2012/09/12 18:22
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 東北大学は、同大学の研究者が炭素材料のグラフェンをチャネル層に用いたトランジスタを開発し、オン/オフ比104以上を達成したと発表した。

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