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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 名古屋大学が半導体型CNTでトランジスタ、fmaxは世界最高水準に

名古屋大学が半導体型CNTでトランジスタ、fmaxは世界最高水準に

  • 野澤 哲生=日経エレクトロニクス
  • 2012/09/13 12:59
  • 1/1ページ
 名古屋大学工学部 教授の水谷孝氏および同篠原久典氏の研究チームは、半導体型の単層カーボン・ナノチューブ(SWCNT)を用いた電界効果トランジスタ(FET)を作製し、電流利得の遮断周波数で30GHz、最高発振周波数で27GHzを達成した。
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