米Freescale Semiconductor, Inc.は、GaN(窒化ガリウム)材料を使って製造したRFパワー・トランジスタ市場に参入した。まずは、携帯電話の基地局に向けた「AFG25HW3554S」を製品化する。近々、サンプル出荷を始める予定で、量産は2013年第2四半期に開始する計画である。価格は明らかにしていない。将来的には、航空宇宙用電子機器やレーダー、ISM帯を利用した無線通信機器、ソフトウエア無線対応機器などに向けた品種も製品化する予定だ。
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