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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【VLSI】実用に向けて着実に進むプレーナ型FD-SOI技術

【VLSI】実用に向けて着実に進むプレーナ型FD-SOI技術

  • 昌原 明植=産業技術総合研究所
  • 2012/06/17 12:27
  • 1/1ページ
 完全空乏型SOI(FD-SOI)に関する発表は、ここ数年活発であり、今回の「2012 Symposium on VLSI Technology」でも、セッションT13「Ultra-Thin Body Devices」とセッションT15「CMOS Platform」で6件の発表があった。特性ばらつきの問題により、28~14nm世代でバルクCMOSに代わるトランジスタ構造として、FD-SOIはFinFETと並んで有力視されている。
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