• BPnet
  • ビジネス
  • PC
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【VLSI】SamsungがTLC NANDフラッシュへの書き込み制御技術を2件発表

【VLSI】SamsungがTLC NANDフラッシュへの書き込み制御技術を2件発表

  • VLSIシンポジウム委員
  • 2012/06/16 05:40
  • 1/1ページ
 「2012 Symposium on VLSI Circuits」のセッション16では、「Flash Memory」に関する4件の講演が行われた。フラッシュ・メモリは、微細化に伴ってMLC(Multi Level Cell)の書き込み制御に時間を要し、速度低下が課題となっている。韓国Samsung Electronics社は、20nmクラスTLC(Triple Level Cell)NANDへの書き込みに関して、異なる2件の方法を提案した。そのほか、日米の大学からSSDおよびロジック混載NANDが発表された。
【技術者塾】(5/17開催)
キャパシタ応用を広げるための基礎と活用のための周辺技術


省エネルギー社会に則した機器を、キャパシタを上手に活用しながら開発するために、その原理と特長、信頼性、長寿命化、高密度化、高出力化などのセル開発の進歩とキャパシタの持つ課題と対応技術まで、実践活用に役立つ応用事例を示しながら学んでいきます。 詳細は、こちら
日程 : 2016年5月17日
会場 : BIZ新宿
主催 : 日経エレクトロニクス

おすすめ