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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【VLSI】SamsungがTLC NANDフラッシュへの書き込み制御技術を2件発表

【VLSI】SamsungがTLC NANDフラッシュへの書き込み制御技術を2件発表

  • VLSIシンポジウム委員
  • 2012/06/16 05:40
  • 1/1ページ
 「2012 Symposium on VLSI Circuits」のセッション16では、「Flash Memory」に関する4件の講演が行われた。フラッシュ・メモリは、微細化に伴ってMLC(Multi Level Cell)の書き込み制御に時間を要し、速度低下が課題となっている。韓国Samsung Electronics社は、20nmクラスTLC(Triple Level Cell)NANDへの書き込みに関して、異なる2件の方法を提案した。そのほか、日米の大学からSSDおよびロジック混載NANDが発表された。

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