• BPnet
  • ビジネス
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【VLSI】SamsungがTLC NANDフラッシュへの書き込み制御技術を2件発表

【VLSI】SamsungがTLC NANDフラッシュへの書き込み制御技術を2件発表

  • VLSIシンポジウム委員
  • 2012/06/16 05:40
  • 1/1ページ
 「2012 Symposium on VLSI Circuits」のセッション16では、「Flash Memory」に関する4件の講演が行われた。フラッシュ・メモリは、微細化に伴ってMLC(Multi Level Cell)の書き込み制御に時間を要し、速度低下が課題となっている。韓国Samsung Electronics社は、20nmクラスTLC(Triple Level Cell)NANDへの書き込みに関して、異なる2件の方法を提案した。そのほか、日米の大学からSSDおよびロジック混載NANDが発表された。
【技術者塾】
「1日でマスター、実践的アナログ回路設計」(2016年8月30日(木))


コツを理解すれば、アナログ回路設計は決して難しくはありません。本講義ではオペアンプ回路設計の基本からはじめて、受動部品とアナログスイッチや基準電圧などの周辺回路部品について学びます。アナログ回路設計(使いこなし技術)のコツや勘所を実践的に、かつ分かりやすく解説いたします。。詳細は、こちら
日時:2016年8月30日(火)10:00~17:00
会場:エッサム神田ホール(東京・神田)
主催:日経エレクトロニクス

おすすめ ↓スクロールすると、関連記事が読めます↓