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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【VLSI】Ge/III-V MOSFETの論文数が2倍に増加、実用化に向けた技術成果が続出

【VLSI】Ge/III-V MOSFETの論文数が2倍に増加、実用化に向けた技術成果が続出

  • 田中 琢爾=富士通セミコンダクター
  • 2012/06/16 01:51
  • 1/1ページ
 FinFET技術が実用段階に入った今、VLSIの特性向上技術の次の大きなターゲットの一つと目されるのがGeチャネル、III-VチャネルMOSFET技術である。今回の「2012 Symposium on VLSI Technology」では、ショートコースで東京大学の高木信一教授が「Heterogeneous CMOS Integration」と題し技術動向のレビューを行った他、セッションでは「Low Power and Steep Subthreshold Technology」「High Mobility - Ge Devices」「Scaled III-V Transistors and Modeling」で合計13件(昨年は6件)の論文が採択されるなど、研究が活発化していることが感じられる。
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