• BPnet
  • ビジネス
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【VLSI】スマホ向けの28nm世代技術、究極のリーク制御技術が相次ぐ

【VLSI】スマホ向けの28nm世代技術、究極のリーク制御技術が相次ぐ

  • 山内 寛行=福岡工業大学
  • 2012/06/15 20:23
  • 1/1ページ
 「2012 Symposium on VLSI Circuits」のTechnology/Circuit Joint Focus SessionであるSession 8「Advanced SRAM」では、4件の発表があった。現在量産プロセスとしては最先端である、28nm世代のHigh-K Metal-Gate(HKMG)技術を用いたスマートフォン向けSRAMに関する論文が多数を占めた。議論されたのは、常温時のリーク電流や低電圧動作などの技術課題である。
【技術者塾】(6/16開催)
実用化迫る、自動運転支援のためのセンシング技術


安全で安心な自動運転車の実現に向けて、運転自動化支援に必要なセンシングアルゴリズムの基礎理論から、自動運転に向けたさまざまな応用技術、最近の話題などについて、分かりやすく解説します。詳細は、こちら
日程 : 2016年6月16日
会場 : 化学会館 7F(東京・御茶ノ水)
主催 : 日経エレクトロニクス

おすすめ