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【VLSI】スマホ向けの28nm世代技術、究極のリーク制御技術が相次ぐ

山内 寛行=福岡工業大学
2012/06/15 20:23
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 「2012 Symposium on VLSI Circuits」のTechnology/Circuit Joint Focus SessionであるSession 8「Advanced SRAM」では、4件の発表があった。現在量産プロセスとしては最先端である、28nm世代のHigh-K Metal-Gate(HKMG)技術を用いたスマートフォン向けSRAMに関する論文が多数を占めた。議論されたのは、常温時のリーク電流や低電圧動作などの技術課題である。

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