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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【VLSI】14nm世代以降のFinFETおよびナノワイヤFETの基盤技術が続々

【VLSI】14nm世代以降のFinFETおよびナノワイヤFETの基盤技術が続々

  • 昌原 明植=産業技術総合研究所
  • 2012/06/14 07:42
  • 1/1ページ
 FinFET技術は1989年の最初の動作実証から20年強の歳月をかけ、2012年に米Intel社によって実用化された。まさに、3次元トランジスタ元年の幕開けといえる。「2012 Symposium on VLSI Technology」のセッションT2では、FinFETが22nm世代で実用化された背景からか、それよりもさらに微細領域でのFinFETの基盤技術、および14nm世代よりも微細な領域での実用化が期待されているナノワイヤFETの特性向上技術などが報告された。
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