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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【VLSI】日立が3次元PRAMを開発、3次元NANDフラッシュ以下のビット・コスト目指す

【VLSI】日立が3次元PRAMを開発、3次元NANDフラッシュ以下のビット・コスト目指す

  • 木村 雅秀=日経エレクトロニクス
  • 2012/06/13 19:50
  • 1/1ページ
 「2012 Symposium on VLSI Technology」のセッション5「Alternative Memory」では、日立製作所 中央研究所が3次元セル構造のPRAM(PCM)について発表した[講演番号:T-5.1]。低コスト・大容量のデータ・ストレージ用途を狙っており、「3次元NANDフラッシュ・メモリよりも低いビット・コストを目指す」(同社)としている。
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