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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > ロームがSiC製MOSFETの第2世代製品を発表、SBD内蔵やボディダイオードによる通電劣化を抑制

ロームがSiC製MOSFETの第2世代製品を発表、SBD内蔵やボディダイオードによる通電劣化を抑制

  • 根津 禎=日経エレクトロニクス
  • 2012/06/14 06:32
  • 1/1ページ
 ロームは、耐圧1200VのSiC製MOSFETの第2世代製品を発表した。同社第1世代品と比較して、信頼性を高めたことや単位面積当たりのオン抵抗を低減したこと、SiC製ショットキー・バリア・ダイオード(SBD)を1パッケージに封止した品種を新たに準備したことが特徴である。
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