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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【VLSI】LEAPが3件を発表、STT-MRAMで10の16乗回の書き換えを実証

【VLSI】LEAPが3件を発表、STT-MRAMで10の16乗回の書き換えを実証

  • 木村 雅秀=日経エレクトロニクス
  • 2012/06/13 00:00
  • 1/1ページ
 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、2012年6月12~14日に米国ハワイで開催される「2012 Symposium on VLSI Technology」で3件の技術発表を行う。

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