• BPnet
  • ビジネス
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【VLSI】性能11倍、電力93%減、寿命7倍のハイブリッドSSD技術を中央大学の竹内教授らが開発

【VLSI】性能11倍、電力93%減、寿命7倍のハイブリッドSSD技術を中央大学の竹内教授らが開発

  • 木村 雅秀=日経エレクトロニクス
  • 2012/06/12 00:00
  • 1/1ページ
 中央大学 理工学部 電気電子情報通信工学科 教授の竹内健氏らの研究グループは、高速な書き換えが可能なReRAM(抵抗変化型メモリ)と大容量のNANDフラッシュ・メモリを組み合わせたハイブリッド構造のSSDアーキテクチャを開発した。NANDフラッシュ・メモリのみを用いた従来のSSDに比べて、書き込み性能を11倍、消費電力を93%減、書き換え寿命を6.9倍にできるという。2012年6月13~15日に米国ハワイで開催される「2012 Symposium on VLSI Circuits」で発表する[講演番号:C-16.3]。

おすすめ