• BPnet
  • ビジネス
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 高集積のNAND型相変化メモリを中央大学の竹内教授らが提案、3次元メモリへの適用を視野

高集積のNAND型相変化メモリを中央大学の竹内教授らが提案、3次元メモリへの適用を視野

  • 大石 基之=日経エレクトロニクス
  • 2012/05/22 13:24
  • 1/1ページ
中央大学 理工学部 電気電子情報通信工学科 教授の竹内健氏らの研究グループは、NAND型の相変化メモリ(phase change memory:PCM)を提案する。

おすすめ