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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > GLOBALFOUNDRIES社、米国ニューヨークの「Fab 8」に20nm世代対応のTSV技術を導入

GLOBALFOUNDRIES社、米国ニューヨークの「Fab 8」に20nm世代対応のTSV技術を導入

  • 木村 雅秀=日経エレクトロニクス
  • 2012/04/27 11:15
  • 1/1ページ
 米GLOBALFOUNDRIES社は4月26日(米国時間)、20nm世代の半導体ウエハーにTSV(through-silicon via)を形成できる製造設備を、米国ニューヨーク州サラトガ郡にある同社の製造ライン「Fab 8」に導入し始めたと発表した(ニュース・リリース)。TSV技術によって、次世代のモバイル機器および民生機器向けに3次元チップ積層が可能になるという。

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