「新しい姿になって復活を遂げる」とエルピーダの坂本社長
エルピーダメモリ 代表取締役社長兼CEOの坂本幸雄氏は2012年2月8日、「世界半導体サミット＠東京2012」（主催：日経エレクトロニクス）で「DRAM事業、反転攻勢へのシナリオ」と題して講演した（Tech-On!関連記事1）。同社は現在、業績不振を受けて経営再建の途上にある。坂本氏は講演において、「DRAM市場で最後まで生き残るのは、（我々のように）技術力のある会社だ。今はじっと耐えて、円高の影響を吸収できる、これまでとは違った姿で復活する」との決意を語った。
坂本氏はDRAM業界の展望として、「技術力で劣る会社は市場から撤退せざるを得ない」との見方を示した。例えば、2012年にスマートフォンなどに向けた需要が本格的に立ち上がる見通しの30nm世代のモバイルDRAMについて、歩留まり良く製造できるのは「我々と韓国Samsung Electronics社に限られる」（同氏）とした。エルピーダは現在、高誘電率（high-k）絶縁膜/金属ゲートを用いた低電圧駆動のモバイルDRAMを開発中であり、近く30nm世代品のサンプル出荷を開始する計画という。この他、TSV（Si貫通ビア）について、台湾のファウンドリー企業などとの協業を進める考えを示した。
こうした技術力での優位性により、2013年にはエルピーダを含む3社のみが市場に残るとみる。その意味で「今年が最後の戦いになる」（坂本氏）。ただし、国内唯一の前工程拠点である広島工場については「円高の影響により世界で戦えない工場になっている」（同氏）として、今後の対策が課題になるとの見方を示した。
エルピーダは2012年に、DRAMの技術世代を30〜25nm世代へ本格的に移行させる計画。その後の1Xnm以降の世代に向けては「（技術的に）障壁がある」（坂本氏）とした。ここでは、顧客企業との交渉を通じ、DRAMの仕様への要求を緩和してもらうことによって、微細化を継続できる見通しという。「シリコン（DRAM）だけを作っていればよいという時代は終わり、顧客と一緒にDRAMの仕様を決めていく時代になる」（同氏）。
今回の講演で坂本氏は、連日報道が続いている他社との提携にも言及した（Tech-On!関連記事2）。「他社との提携交渉を2〜3カ月でまとめるということは、（一般的に言って）できることではない。交渉相手の条件をすべて飲むならばそれは可能だが、我々の要求をできる限り多く相手に認めさせるというのが提携交渉の基本だ」（同氏）。復活に向けては「（報道されている内容よりも）もっと大きなことをしなければいけないと考えている」（同氏）とした。
