Cree、耐圧1700VのSiC製ダイオードを開発

パワー半導体をテーマにしたセミナーを開催し、関連書籍も発行致します。
● セミナー「パワー半導体フォーラム 2012〜進化するSi、存在感増すSiCとGaN〜」
6/26東京開催
<プログラム例>
・三菱電機がSiCデバイスとSi-IGBTの研究開発について講演
・パナソニックがGaNデバイスについて講演
・IHSアイサプライ・ジャパンが市場動向を予測
・富士電機がSiCデバイス利用の産機用インバータと次世代パワー半導体を語る
・新日鉄がSiC基板の大口径化と高品質化について講演
・NICTが新材料の酸化ガリウムの実力を紹介
・カルソニックカンセイが車載パワーデバイスの実装技術を講演
詳細はこちら。

● 書籍「次世代パワー半導体」
4/24発行予定
<概要>
SiCやGaNに関連した技術や市場の最新動向を網羅。パワー素子だけでなく、自動車や鉄道などへの応用技術や、モジュール化のための周辺技術、ウエハーについても掲載。
詳細はこちら。