仏CEA-Leti、TSVを用いた3次元集積デバイスの試作を行う「Open 3D」イニシアチブを発表

2012/02/02 22:08

木村雅秀＝日経エレクトロニクス

3次元集積デバイスのイメージ

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「Open 3D」イニシアチブのサービス内容

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　仏CEA-Letiは、TSV（Si貫通ビア）を用いた3次元集積デバイスの試作を手掛けるイニシアチブ「Open 3D」を発表した（ニュース・リリース、CEA-Letiによる紹介ページ）。

　同イニシアチブに参加したパートナ企業や大学は、CEA-Letiが参画するMinatecキャンパス（フランス・グルノーブル市）にある200mmウエハー・ラインで試作サービスを受けられる。2012年中には300mmウエハーによる試作も可能になるという。

　試作サービスで利用できる技術は、下記の通り。（a）アスペクト比3のTSV形成技術、（b）マイクロバンプを用いたチップ-ウエハー間の接続技術、（c）バンプを用いたチップ-基板間の接続技術、（d）再配線層（RDL）の形成技術、（e）アンダーバンプ・メタル（UBM）の形成技術、（f）仮接合・薄化・剥離に関する技術、である。

　こうしたTSV形成やチップ接合といった試作サービスだけではなく、3Dデザインやレイアウト、信頼性テスト、最終パッケージングなどの技術サービスも受けられる。なお、今回想定する3次元集積デバイスの主な用途としては、バイオ/医療、航空宇宙、民生機器、防衛、セキュリティ、基礎研究などを挙げている。