Infineonが車載パワー半導体向けに新パッケージ、第1弾は40V・300AのパワーMOSFET
独Infineon Technologies AGは、車載パワー半導体向けに新たな小型パッケージを開発したと発表した（日本語版ニュース・リリース）。JEDEC規格の「H-PSOF（ヒートシンク、プラスチック製小外形フラットリード、Heatsink Plastic Small Outline Flat lead）」に準拠している。
今回開発したH-PSOFパッケージによって、既存のパッケージでは難しかった200Aを超える電流容量と1mΩ未満のオン抵抗のパワーMOSFETが提供できるようになるという。このパッケージに収めたデバイスは、ハイブリッド車のバッテリー管理や、電動パワー・ステアリング（EPS）、アクティブ・オルタネーターといった高電流容量のアプリケーションを狙う。
電流容量を高められることに加えて、小型化も可能にする。例えば、車載パワー半導体でよく使われている「D2PAK パッケージ（TO-263）」と比較すると、H-PSOFのパッケージのフット・プリントは約20％、高さは約50％小さくなるとする。さらに、H-PSOFパッケージには、組み立て/製造上の利点もある。例えば、はんだ付けのぬれ性が良いことに加えて、自動光学的検査（AOI）を利用してはんだ付け後の端子を管理できるという。
新たなパッケージを使った最初の製品は、耐圧40VのOptiMOS T2パワーMOS FET「IPLU300N04S4-R7」である。トレンチ型のnチャネルパワーMOS FETで、ドレイン電流は最大300Aと大きく、オン抵抗は0.76mΩと小さい。AEC-Q101規格に準拠している。今後、InfineonはH-PSOFパッケージに封止した40Vおよび30Vの自動車用向けMOSFETを発表する予定である。
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