エルピーダが64MビットReRAMを開発、2013年に8Gビット品を製品化

2012/01/25 10:31

大下淳一＝日経エレクトロニクス

エルピーダメモリは1月24日、今回の技術に関する報道機関向け説明会を開催した。写真は、同技術について説明する、新メモリ開発担当の安達隆郎氏

[クリックすると拡大した画像が開きます]

開発したReRAM。4分割された領域のそれぞれが、64Mビットのメモリ・アレイ。

[クリックすると拡大した画像が開きます]

　エルピーダメモリは、次世代不揮発性メモリの一種であるReRAM（抵抗変化型メモリ）を開発した（リリース）。64Mビットのセル・アレイを50nm世代技術で試作し、全ビット動作を確認したという。ReRAMの商用化に向けた取り組みを既に始めており、第1弾製品として「30nm世代の8Gビット品を2013年に市場投入したい。2014年には本格的な量産に移れるだろう」（同社取締役執行役員の安達隆郎氏）とする。

　同社はReRAMを、スマートフォンやタブレット端末、ノート・パソコンなどの「携帯機器に向ける」（安達氏）という。当面は、こうした機器において、DRAMとNANDフラッシュ・メモリの間の性能差を埋めるキャッシュ・メモリとしての用途を見込んでいるという。ゆくゆくは「DRAMを侵食するメモリになることを期待している。携帯機器では、（消費電力の大きい）DRAMを少しでも減らして不揮発化したいという声が強いからだ」（同氏）。ただし現時点では、SSDの高速化を求める、映像系の据え置き型機器の顧客からの引き合いが強いとする。

　今回開発したのは、Hf系酸化物ベースの抵抗変化素子を用いた、1T-1R型のReRAM。データ読み出し時間は20ns以下、書き換え回数は100万回以上であることを確認したという。今後、Gビット級への大容量化に向けて、動作メカニズムの完全な解明や、記憶素子の動作バラつきへの対策を進めていく。さらに、今回の試作品では6F²セルを用いたが、量産品には4F²セルを導入し、セル面積を縮小するという。DRAMの製造ラインでの量産が可能といい、量産段階でのビット・コストは「DRAMの70％（DRAM比で30％低減）を狙う」（安達氏）とした。同社は次世代不揮発性メモリの候補をReRAMに絞っており、MRAM（磁気メモリ）やPRAM（相変化メモリ）の製品開発は行っていないという。

　今回の成果は、2010年に始動したNEDO（新エネルギー・産業技術総合開発機構）の委託事業におけるもの。シャープ、産業技術総合研究所、東京大学との共同開発の成果である（Tech-On!関連記事）。