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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【IEDM】IntelのBohr氏が基調講演、「MOSトランジスタのチャネル材料に手をつけるときが来た」

【IEDM】IntelのBohr氏が基調講演、「MOSトランジスタのチャネル材料に手をつけるときが来た」

  • 大下 淳一=日経エレクトロニクス
  • 2011/12/06 10:30
  • 1/1ページ
 米Intel社Senior Fellowで同社のCMOSプロセス技術開発を主導するMark Bohr氏は、IEDM 2011の会期初日の基調講演に登壇し、「The Evolution of Scaling from the Homogeneous Era to the Heterogeneous Era」と題してMOSトランジスタ技術の将来展望を語った。同社はこれまで、ひずみSiやhigh-k/メタル・ゲート、マルチ・ゲートなどのブースタ(性能改善)技術を業界に先駆けて実用化してきた。次のブースタ技術として、「MOSトランジスタのチャネル材料を、Siに比べてキャリア移動度が数十倍高いIII-V族半導体に変えるときが訪れている」とした。
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