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【セミコン・プレビュー】アルバックがNiやCoのCVD装置を開発、3D-NANDやCu配線ライナー層向け

  • 長廣 恭明=Tech-On!
  • 2011/12/01 15:51
  • 1/1ページ
アルバックは、ニッケル(Ni)やコバルト(Co)を成膜できるCVD装置「ENTRON-EX2 W300 CVD-Ni/CVD-Co」を開発した。3次元(3D)構造のNANDフラッシュ・メモリー・セルや20nm以降のメタル配線、フィンFETなどへの応用を想定している。「Semicon Japan 2011」(2011年12月7~9日、幕張メッセ)に出展し、2012年4月に販売を開始する。まずは開発向けとして半導体メーカーへ数台を出荷、各社のプロセスに合わせて装置性能を向上させ、2013年以降の量産装置納入を目指す。
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