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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【IEDM】III-V族MOSFETのブースタ技術が登場、2軸性ひずみや界面制御の効果を東大などが実証

【IEDM】III-V族MOSFETのブースタ技術が登場、2軸性ひずみや界面制御の効果を東大などが実証

  • 大下 淳一=日経エレクトロニクス
  • 2011/12/08 10:01
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 東京大学 大学院 工学系研究科 電気系工学専攻 教授の高木信一氏の研究グループと産業技術総合研究所、住友化学は共同で,III-V族半導体をチャネル部に用いたMOSFET(III-V族MOSFET)の性能を高める技術(ブースタ技術)を提案した(講演番号13.4)。チャネル部に2軸性ひずみを加えたり、チャネル部と絶縁膜の界面にバッファ層を設けたりすることによって、電子移動度を高められることを示した。

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