京都大学 准教授の須田淳氏らの研究グループは,研究開発を進めるSiC製BJT(bipolar junction transistor)の最新成果をSiCに関する国際会議「ICSCRM 2011」で発表した。同グループは,2011年5月に開催されたパワー半導体関連の国際学会「ISPSD 2011」で,室温時の電流増幅率が257と高いBJTを発表した(Tech-On!関連記事)。今回は,このBJTの高温動作時の電流増幅率を公開した。具体的には,250℃で動作させた場合,電流増幅率127という成果が出た(図1)。これまで公表されてきたSiC製BJTの中で,250℃で電流増幅率100を超えるものはなかったという。
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