米Rambus社は、高速にパワー・オンできる、低消費電力のクロッキング技術を開発し、「2011 Symposium on VLSI Circuits」で発表した(論文番号8-2)。これにより、これまでと全く異なる種類のメモリ・チップなどの実現が可能になるという。40nm世代の台湾TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd.)のLPプロセスで試作したチップを用いて信号伝送システムを構築し、消費電力がゼロの「アイドル」状態から5Gビット/秒超の「フルスピード」状態まで、わずか5nsで移行できることを示した。伝送システムのアクティブ電力は2.4mW/Gビット/秒と低い。
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