酸化物TFTの発表は今回の「SID」（ディスプレイ関連で世界最大の学会、2011年5月15～20日に米国ロサンゼルスで開催）でも非常に多かった。しかも、高信頼性を掲げる発表が増えてきており、いよいよ実用化が近づいてきていることを実感させる。
セッション名としては「Active Matrix DevicesのOxide TFT I, II」の二つのみだが、「OLED Displays II」セッションは酸化物TFTをバックプレーンに用いた発表だけを集めていた。また、フレキシブル・ディスプレイに応用した発表もあった。ポスター・セッションでは、「Active-Matrix Devices」の発表26件中の実に18件が酸化物TFT関連であった。次世代FPD用デバイスの本命技術として、今まで以上に多くの研究者が酸化物TFTの開発に携わっていることが分かる。
Oxide TFT I●200℃プロセスやオフ電流低減の新技術を発表
「Oxide TFT I」セッションでは、まず東芝が200℃以下の低温プロセスでプラスチック基板上に形成したIGZO（In-Ga-Zn-O）TFTを用いて試作したフレキシブル有機ELパネルについて発表した（論文番号4.1、Tech-On！関連記事）。BT試験の結果については、Vgs＝20V、70℃、2000秒の条件で、ΔVth ＝0.22Vであると報告した。試作したパネルの仕様は、3型、160×120画素、2Tr＋1Cap（2トランジスタ－1キャパシタ回路）の画素回路、ボトム・エミッションの白色有機EL＋カラー・フィルタ構造で開口率は40%である。走査ドライバ回路はTFTで内蔵している。
続いて、韓国Samsung Mobile Display（SMD）社が、内蔵走査回路の動作の安定化と低消費電力化を図った14型有機ELパネルを発表した（論文番号4.2）。フローティング・ゲートを用いて酸化物TFTのオフ電流を低減させている。
一般に酸化物TFTはVthが0V以下になることが多く、Vgs＝0Vでのオフ電流が大きい。このため通常の回路が動作しにくかったり、消費電力が大きくなったりするという問題がある。そこで、SMD社は回路の一部をフローティング・ゲート構造にして、走査期間の前に適切な電位にセットさせた。その上で、容量結合で入力信号を制御して安定動作を確保している。
SMD社はもう一つの方法として、積極的にゲート・バイアスを最適化するダイナミックVth制御方式の回路も発表している（論文番号49.3）。試作した有機ELパネルの仕様は、14型、960×540画素で、画素回路は3Tr＋1Capである。
台湾National Chiao Tung大学は、ナノドット・ドーピングにより79cm2/Vsという高移動度を実現した酸化物TFTの発表があった（論文番号4.3）。残念ながら信頼性に関するデータは提示されなかった。
半導体エネルギー研究所はアドバンスト フィルム ディバイス インク（AFD Inc）と共同で、酸化物TFTを用いて走査回路まで内蔵した6型のフィールド・シーケンシャル駆動のブルー・フェイズ液晶パネルを発表した（論文番号4.4）。酸化物TFTの80℃、1時間のBT試験結果は、＋20Vの印加でΔVth＝0.56V、－20Vの印加でΔVth＝－0.24V、＋30Vの印加でΔVth＝0.88V、－30Vの印加でΔVth＝－0.27V、＋40Vの印加でΔVth＝0.83V、－40Vの印加でΔVth＝－0.38Vであった。ブルー・フェイズ液晶の駆動電圧は30Vと高いため、その低電圧化が課題だという。
