ルネサス エレクトロニクスが,SiC(炭化ケイ素)を用いたパワー半導体の発売に乗り出した。耐圧600VのSiCショットキ・バリア・ダイオード(SiC-SBD)「RJS6005TDPP」のサンプル出荷を,2011年3月末に始める。エアコンなどの白物家電のほか,通信用基地局やサーバー機などに搭載されるPFC(力率改善)回路およびインバータ回路での採用を見込む。2011年10月に少量量産を開始し,2012年3月以降には10万個/月の量産を計画する。2011年度中に,耐圧を1200Vに高めたSiC-SBDのサンプル出荷も始める意向である。
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