図1 展示の様子。CMOSで製造したRF回路で無線LANによる通信を行う様子を見せていた
[画像のクリックで拡大表示]
図2 RF回路を含むシステム全体の1チップ化を想定する
[画像のクリックで拡大表示]
図3 32nm世代のCMOS技術で製造したパワー・アンプの拡大図
[画像のクリックで拡大表示]
図4 無線LAN用など，各種の無線通信方式のRF回路を試作した
[画像のクリックで拡大表示]
米Intel Corp.は「Mobile World Congress 2011」（2011年2月14～17日，スペイン・バルセロナ）において，パワー・アンプやLNA（低雑音増幅回路），RFスイッチなどのRF回路をSi CMOS技術で製造する研究の成果を公表した。32nm世代のCMOS技術でRF回路を製造し，そのチップを使って通信する様子を見せた。移動体通信にも適用可能とする。
Intel社の研究は，ベースバンド処理プロセサ，RFトランシーバIC，フロントエンド・モジュールという3チップ構成になることが一般的な無線通信用回路を，1チップに統合することを目指したものである。今回の大きな成果は，Intel社が現在出荷中のパソコン向けマイクロプロセサと同じ，32nmという先端のプロセス技術に適用できたことだったという。「アプリケーション・プロセサからフロントエンド・モジュールまでを含む，無線通信向けの完全なSoCの実現に近づいた」（Intel社）とする。今回の研究成果は，22nm世代のプロセス技術にも適用できる見込みである。
現在は各種の無線通信方式のRF回路を試作して，その動作を検証している段階。実用化の時期は決まっていない。「60GHz程度の周波数帯以下であれば，特に通信方式の制限はない。移動通信方式などにも適用可能だ。ただし，必要な送信電力に合わせてパワー・アンプの設計を変えるといった作業は必要になる」（同社）とする。今回の展示では，2.3～2.8GHz帯を想定して設計したチップを使って無線LANで通信する様子を見せていた。
