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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【IEDM】メタル・ソース・ドレインを備えるIII-V族チャネルFETを自己整合プロセスで,東大などが実現

【IEDM】メタル・ソース・ドレインを備えるIII-V族チャネルFETを自己整合プロセスで,東大などが実現

  • 大下 淳一=日経エレクトロニクス
  • 2010/12/09 17:39
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 東京大学 大学院 工学系研究科 電気系工学専攻 教授の高木信一氏らのグループは,産業技術総合研究所,住友化学と共同で,III-V族化合物半導体をチャネルに用いたMOSFETに,自己整合プロセスによってメタル・ソース・ドレインを形成する手法を開発した(講演番号26.6)。III-V族チャネルMOSFETの技術課題となっていた,ソース・ドレインの低抵抗化をもたらす成果である。

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