韓国Hynix Semiconductor Inc.は，メモリ・セルを3次元に多段積層するNANDフラッシュ・メモリ（3次元NAND）に向けたセル技術「Dual Control-Gate with Surrounding Floating-Gate（DC-SF）」を開発した（講演番号29.7）。これまで3次元NAND向けで提案されてきたチャージ・トラップ型セルではなく，現行のNANDフラッシュ・メモリの基本構造である浮遊ゲート型セルを採用している。浮遊ゲート型セルを使うことで2～4ビット/セルの多値化が可能となり，チャージ・トラップ型セルを使う3次元NANDに比べてビット当たりのメモリ容量で優位になるとする。今回の技術を使えば，3ビット/セルに多値化したメモリ・セルを64段積層することにより，1TビットのNANDフラッシュ・メモリを実現できるという。
この記事は会員登録で続きをご覧いただけます
-
会員の方はこちら
ログイン -
登録するとマイページが使えます
今すぐ会員登録（無料）
日経クロステック登録会員になると…
・新着が分かるメールマガジンが届く
・キーワード登録、連載フォローが便利
さらに、有料会員に申し込むとすべての記事が読み放題に！
春割キャンペーン実施中！
＞＞詳しくは
日経クロステックからのお薦め
日経BP 総合研究所がお話を承ります。ESG／SDGs対応から調査、情報開示まで、お気軽にお問い合わせください。
ブランド強化、認知度向上、エンゲージメント強化、社内啓蒙、新規事業創出…。各種の戦略・施策立案をご支援します。詳細は下のリンクから。
「デジタル＆ソリューション」をキーワードに、多様な事業を展開しています。
日経BPは、デジタル部門や編集職、営業職・販売職でキャリア採用を実施しています。デジタル部門では、データ活用、Webシステムの開発・運用、決済システムのエンジニアを募集中。詳細は下のリンクからご覧下さい。
