• BPnet
  • ビジネス
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【IEDM】Hynixが3次元NANDフラッシュ・メモリ技術を発表,浮遊ゲート型セルを採用

【IEDM】Hynixが3次元NANDフラッシュ・メモリ技術を発表,浮遊ゲート型セルを採用

  • 大下 淳一=日経エレクトロニクス
  • 2010/12/09 17:45
  • 1/1ページ
 韓国Hynix Semiconductor Inc.は,メモリ・セルを3次元に多段積層するNANDフラッシュ・メモリ(3次元NAND)に向けたセル技術「Dual Control-Gate with Surrounding Floating-Gate(DC-SF)」を開発した(講演番号29.7)。これまで3次元NAND向けで提案されてきたチャージ・トラップ型セルではなく,現行のNANDフラッシュ・メモリの基本構造である浮遊ゲート型セルを採用している。浮遊ゲート型セルを使うことで2~4ビット/セルの多値化が可能となり,チャージ・トラップ型セルを使う3次元NANDに比べてビット当たりのメモリ容量で優位になるとする。今回の技術を使えば,3ビット/セルに多値化したメモリ・セルを64段積層することにより,1TビットのNANDフラッシュ・メモリを実現できるという。
【技術者塾】(6/6開催)
最適制御とモデル予測制御の基礎から応用展開まで


最適制御の基礎と数値解法の考え方を解説した上で、モデル予測制御の問題設定、実時間アルゴリズム、そして最先端の応用事例について解説します。実際に応用する際の手順がイメージできるよう、簡単な例題を交えて説明します。詳細は、こちら
日程 : 2016年6月6日
会場 : BIZ新宿 (東京・西新宿)
主催 : 日経エレクトロニクス

おすすめ