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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【IEDM】Hynixが3次元NANDフラッシュ・メモリ技術を発表,浮遊ゲート型セルを採用

【IEDM】Hynixが3次元NANDフラッシュ・メモリ技術を発表,浮遊ゲート型セルを採用

  • 大下 淳一=日経エレクトロニクス
  • 2010/12/09 17:45
  • 1/1ページ
 韓国Hynix Semiconductor Inc.は,メモリ・セルを3次元に多段積層するNANDフラッシュ・メモリ(3次元NAND)に向けたセル技術「Dual Control-Gate with Surrounding Floating-Gate(DC-SF)」を開発した(講演番号29.7)。これまで3次元NAND向けで提案されてきたチャージ・トラップ型セルではなく,現行のNANDフラッシュ・メモリの基本構造である浮遊ゲート型セルを採用している。浮遊ゲート型セルを使うことで2~4ビット/セルの多値化が可能となり,チャージ・トラップ型セルを使う3次元NANDに比べてビット当たりのメモリ容量で優位になるとする。今回の技術を使えば,3ビット/セルに多値化したメモリ・セルを64段積層することにより,1TビットのNANDフラッシュ・メモリを実現できるという。
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