台湾Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.（TSMC）は，TSV（Si貫通ビア）を用いて半導体チップを3次元積層する，3次元LSIの量産化に向けた取り組みを発表した（講演番号2.1）。TSVや再配線層，マイクロバンプなどの要素技術を使って，半導体チップと300mmウエハーを3次元積層したモジュールを作製し，3次元積層技術がデバイスの性能や信頼性に与える影響を評価している。TSMCは28nm世代以降で3次元LSIを量産化する意向であり，「我々の既存の製造技術で3次元LSIを実現した今回の成果により，量産へ大きく前進できた」とする。早ければ，ここ1～2年以内に量産に乗り出す公算が大きい。
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