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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > ReRAMバッファを備えるSSD向けのECC技術,東京大学が開発

ReRAMバッファを備えるSSD向けのECC技術,東京大学が開発

  • 大下 淳一,大石 基之 =日経エレクトロニクス
  • 2010/09/27 18:51
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 東京大学 大学院工学系研究科 電気系工学専攻 准教授の竹内健氏と同専攻 研究員の福田真由美氏らのグループは,データ書き込み時のバッファに抵抗変化型メモリ(ReRAM)を用いるSSD向けのECC(error correcting code)技術を開発した。SSDに10Gビット/秒でデータを書き込む際の消費電力を従来比で97%低減できるほか,動作信頼性の指標となる許容ビット不良率(raw bit error rate)を3.6倍に高められる。東京大学のグループは今回の成果を,固体素子・材料に関する国際会議「SSDM(Solid State Devices and Materials) 2010」(2010年9月22~24日に東京大学で開催)で発表した(論文番号G-7-4L)。

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