韓国Samsung Electronics Co. Ltd.と東芝は,NANDフラッシュ・メモリに向けたインタフェース仕様を開発し,標準化に向けてJEDEC Solid State Technology Associationへ提案していることを明らかにした(東芝の発表資料)。2011年初頭の標準化が目標である。インタフェース仕様の名称は「Toggle DDR 2.0」。最大データ転送速度400Mビット/秒の実現を目指している。現在,一般的に普及しているNANDフラッシュ・メモリの約10倍に相当するという。
この記事は会員登録で続きをご覧いただけます
-
会員の方はこちら
ログイン -
登録するとマイページが使えます
今すぐ会員登録(無料)
日経クロステック登録会員になると…
・新着が分かるメールマガジンが届く
・キーワード登録、連載フォローが便利
さらに、有料会員に申し込むとすべての記事が読み放題に!
春割キャンペーン実施中!
>>詳しくは
日経クロステックからのお薦め
日経BP 総合研究所がお話を承ります。ESG/SDGs対応から調査、情報開示まで、お気軽にお問い合わせください。
ブランド強化、認知度向上、エンゲージメント強化、社内啓蒙、新規事業創出…。各種の戦略・施策立案をご支援します。詳細は下のリンクから。
「デジタル&ソリューション」をキーワードに、多様な事業を展開しています。
日経BPは、デジタル部門や編集職、営業職・販売職でキャリア採用を実施しています。デジタル部門では、データ活用、Webシステムの開発・運用、決済システムのエンジニアを募集中。詳細は下のリンクからご覧下さい。