LSIの基本素子であるCMOSトランジスタは，微細化の限界が長く指摘されてきたが，まだまだ終焉を迎えそうにはない。ファウンドリー最大手の台湾Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.（TSMC）が今夏に着工する新工場は，7nm世代までの量産対応を視野に入れたものという。TSMCは半導体業界で唯一，20nm世代の量産時期を具体的に明言する（2012年下期を予定）など，微細化競争における存在感を高めている。ただし，微細化競争の不動のトップは，依然として米Intel Corp.である。2年おきにCMOSの技術世代を進めるIntel社のロードマップに従えば，同社は22nm世代の量産を2011年下期に始める見通しだ。CMOS技術の観点からは，22～20nm世代は各社とも32～28nm世代の延長技術，すなわち高誘電率（high-k）ゲート絶縁膜/メタル・ゲートを使う平面型（プレーナ）CMOSで対応する公算が大きい。それでは，15nm世代以降のCMOS技術はどのようなものになるのか。Intel社で最先端のCMOSプロセス技術の開発を担うKelin J. Kuhn氏（Intel Fellow，Director of Advanced Device Technology，Portland Technology Development）に聞いた。同氏は最近では90nm，45nm，22nm，15nmのプロセス開発を主導し，現在担当している最先端のプロセスは，11nm世代であるという。
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