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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【VLSI】SRAMのばらつきを「見える化」する観測技術が続出,しきい値電圧を製造後に適正化する技術も

【VLSI】SRAMのばらつきを「見える化」する観測技術が続出,しきい値電圧を製造後に適正化する技術も

  • 福岡工業大学 山内寛行=ホノルル発
  • 2010/06/17 17:33
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 「2010 Symposium on VLSI Circuits」のセッション4「SRAM Variability」は,SRAMの低電圧化や大容量化をさらに推し進めるために各社が直面している量産レベルのばらつきやダイナミックな電源ノイズの特性への影響をビット・レベルで高精度に“見える化”する観測技術,ランダムにばらついたしきい値電圧の“製造後の適正シフト”など,従来の単なる統計解析シミュレーションによる特性ばらつきの分布解析や歩留まりの予測を行っていた段階から一歩脱皮した注目の4件の論文の発表と質疑応答が,多くの聴衆を集める中で行われた。

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