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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【VLSI】SSDの書き込み速度を4.2Gビット/秒へ高める電源技術,東大などが開発

【VLSI】SSDの書き込み速度を4.2Gビット/秒へ高める電源技術,東大などが開発

  • 大下 淳一,大石 基之 =日経エレクトロニクス
  • 2010/06/19 12:30
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 SSD(solid state drive)のデータ書き込み速度を,従来比で60%増の4.2Gビット/秒へ高められる電源技術を,東京大学 大学院工学系研究科 電気系工学専攻 准教授の竹内健氏のグループと東芝が共同で開発した。並列に動作するNANDフラッシュ・メモリの数に応じて,供給電力を動的に最適制御する。NANDフラッシュ・メモリなどの構成部品を3次元積層する「3次元SSD」に向ける技術である。開発グループはこの成果の詳細を,「2010 Symposium on VLSI Circuits」(2010年6月16~18日,米国ハワイ州ホノルル)で発表した(論文番号:22.4)。

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