本記事は，Image Sensors Worldの「Invisage Technology in Patents」を抄訳したものです（大槻 智洋＝日経エレクトロニクス）。

　米InVisage Technologies, Inc.は，「量子ドットの利用によってCMOSセンサの出力を高めた」という。だが，同社の発表は不明点が多い。実際のところ，彼らは何をしたのか，出願中の特許から推定してみよう。見つけた出願は今のところ三つある。

　公開番号「US2009152664」，「US20100044676」，「WO2008131313」である。これらをざっと読んだ限りでは，InVisage社のCMOSセンサの構造や性能は，以下の通りのようだ。
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信号の読み出し方は，特殊ではない。トランジスタを三つ使うようだ。こうした回路構成では，一般にkTCノイズがS/Nを下げるという問題が発生する。対策は分からないが，WO2008131313の発明者リストの中には，米SMaLCamera Technologies社 元CTOのKeith Fife氏の名前がある。彼ならば何かやってくれそうだ。

画素のレイアウトを示した。仮に台湾TSMC社の0.11μmプロセスで，これを実現できたとすれば，画素ピッチは1μm近くになるだろう。このピッチの狭さは，コスト競争力を大いに高め得る。

出願文書は，画素共有（一つのトランジスタが複数の画素の信号出力を担うこと）に言及していた。

InVisage社のセンサでは，量子ドットを形成したQuantumFilm（以下，フォトコンダクターと呼ぶ）が光電変換を担う。このフォトコンダクターが出力する光電流は，この図が示すように時間の経過とともに減少してしまう。このため，フォトコンダクターのゲイン調整が必要になるはずだが，本図での記載はない。

キャリアのライフタイムは照度に左右される。このため，フォトコンダクターのゲインは，非線形に変わる必要がありそうだ。

フォトコンダクターにPbS（硫化鉛）を用いた場合，量子効率が60％近い。

PbSe（セレン化鉛）を使うと，量子効率は70％と非常に高くなる。CuGaSe2，CuInSe2などの利用も考えているようだ。

出願には，米Foveon社のCMOSセンサように，光電変換層を縦に積む構造が詳しく書かれていた。仮にこうした構造で量産出荷できれば，InVisage社は他社との競争を有利に展開できる可能性がある。

　全般的に言ってInVisage社の研究レベルは高く，量子ドットを形成したフォトコンダクターというアイデアを生かした設計をしている印象を受ける。出願における性能値は，競争力が高い製品をInVisage社が生みだし得ることを示していた。

　ただし，同社の撮像素子が民生用途に適しているかというと疑問がある。現行のCMOSセンサが用いるフォトダイオードは，シンプルだ。発生した信号電荷を電界をかけて読み出すだけである。これに対して同社のフォトコンダクターは，信号出力の過程（recombination process）が非常に複雑であり，これがノイズ源となって現行方式のS/Nを超えられないのではないだろうか。