米Innovative Silicon, Inc.は,バルクSi基板を使うキャパシタレスDRAMを開発した。動作電圧が1V以下と低く,DDR3規格に求められる動作速度や消費電力の水準を満たすという。これにより,「DRAMを完全に置き換えるための要素技術がそろった」(Innovative Silicon社)とする。同社とライセンス契約を結んでいる韓国Hynix Semiconductor Inc.が,54nm世代の数Mビットのテスト・チップを試作し,動作を確認済みである。両社は,この成果に関する共著論文を,2010年6月に米国ハワイで開催される「Symposium on VLSI Technology 2010」に提出した。

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