LSIを構成するMOS FETの次世代チャネル材料として注目を集めるグラフェン。このカーボン材料は，電子スピンを利用して不揮発性などの機能を実現するトランジスタ（スピン・トランジスタ）の材料としても有望だ。「第57回応用物理学関連連合講演会」（東海大学 湘南キャンパス，2010年3月17～20日）で開催されたシンポジウム「ナノカーボン材料の最新動向：グラフェン，ナノチューブ，フラーレン」では，大阪大学 准教授の白石誠司氏が，グラフェンのスピン・トランジスタなどへの応用に向けた研究の最新動向を紹介した（講演番号17p-TD-4）。
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