アルバックは,In-Ga-Zn-O(IGZO)系の透明アモルファス酸化物半導体TFT(IGZO-TFT)を730mm×920mmの大型基板の全面にわたって複数作製し,良好なトランジスタ特性を得た。この基板は複数のSi基板で構成したもので,寸法は第4世代のガラス基板に相当する。アルバックは今後,第8世代以降のガラス基板に相当する「2000mm角以上の基板にIGZO-TFTを形成する技術を確立する」(同社)意向である。同社は今回の成果について,第57回応用物理学関連連合講演会(東海大学 湘南キャンパス,2010年3月17~20日)で発表した(講演番号:17a-TL-5)。
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