プレビュー会見で講演する東工大 教授の細野氏
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東京工業大学 教授の細野秀雄氏らの研究グループは，一酸化スズ（SnO）で，n型半導体とp型半導体を開発し，酸化物半導体でのCMOS回路の実現にメドをつけた。2010年3月10日，応用物理学会が開いた2010年の春季応用物理学会学術講演会の報道機関向けプレビュー発表会の場で発表した。
細野氏の研究グループは，2008年にSnOを用いたp型半導体でTFTを作製している。今回は，SnOが理論的にn型半導体にもなり得ることに着目し，p型半導体にアンチモン（Sb）を不純物として添加した。すると，Sbの比率が約5％を超える場合に，材料がn型半導体の特性を示すことを確認できたという。p型とn型共にSnOを基とするホモpn接合の素子も実際に作製し，ダイオードとして動作することを確認した。
細野氏は，これによって，SnOで「酸化物半導体で大きな目標になっているCMOS回路の実現に接近した」とする。CMOS回路の他には，バンドギャップが2.0eVと高いことを利用してタンデム構造の太陽電池の短波長光向けpn接合として利用するといった使い方が考えられるという。
ただし，今回得られたキャリア移動度は，p型が2.4cm2/Vs，n型が2.3cm2/Vs。ディスプレイ向けのTFTなどでは利用可能だが，より高速動作が必要なデバイスには十分とはいえない。細野氏は，「酸化物では，移動度を10cm2/Vs以上にするのは難しい。より高い移動度を狙うなら別材料を使う」と述べた。
より詳細については，第57回応用物理学関連連合講演会（東海大学 湘南キャンパス，2010年3月17～20日）で紹介するという（講演番号：17a-TL-11など）。
